IPD70N10S312ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R280P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IPD70N10S312ATMA1 —
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 12 A
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V max @ ID = 190 µA
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V —
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
RoHS Durumu — Compliant
Integrated ESD Protection — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin