IPD70N10S312ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD70N10S312ATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R280P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD70N10S312ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Technology | — | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |