IPD70N10S312ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD70N10S312ATMA1 bằng Infineon và IPD60R280P7SAUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD70N10S312ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Technology | — | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |