IPG20N06S2L65AATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N06S2L65AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ065N03LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPG20N06S2L65AATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS 30V |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |