IPG20N06S2L65AATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N06S2L65AATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS 30V |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL لیول | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |