IPG20N06S2L65AATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından Infineon ve BSZ065N03LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N06S2L65AATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS 30V |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Paket / Kas | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |