IPP60R190P6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP60R190P6XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPP60R180P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPP60R190P6XKSA1 IPP60R180P7XKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P6 —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
On-Resistance RDS(on) max at 25C 190 mOhm —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 151 W —
প্যাকেজ PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL লেভেল Not applicable (through-hole) N/A (through-hole)
Product Variant XKSA1 (industrial grade, tube pack) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
পিনের সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট