IPP60R190P6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R190P6XKSA1 tarafından Infineon ve IPP60R180P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP60R190P6XKSA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Paket | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | Not applicable (through-hole) | N/A (through-hole) |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |