IPP60R190P6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R190P6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R190P6XKSA1 IPP60R180P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P6 —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
On-Resistance RDS(on) max at 25C 190 mOhm —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 151 W —
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول Not applicable (through-hole) N/A (through-hole)
Product Variant XKSA1 (industrial grade, tube pack) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
پنز کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں