IPTC039N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPTC039N15NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC015N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPTC039N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -55 C to +175 C (junction) —
প্যাকেজ PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট