IPTC039N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC039N15NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPTC039N15NM5ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Paket | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |