IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH88N06LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPC100N04S51R7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C (TJ) —
প্যাকেজ PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Green Product)
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট