IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IPC100N04S51R7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Product)
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin