IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S51R7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) —
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Green Product)
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں