IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH88N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IPC100N04S51R7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रिय
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
पावर डिसिपेशन (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) —
पैकेज PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Green Product)
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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