IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQDH88N06LM5CGSCATMA1 توسط Infineon و IPC100N04S51R7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
اتلاف توان (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (TJ) —
بسته‌بندی PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت