IRF7341GTRPBF vs IRF7103TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7341GTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7103TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF7341GTRPBF | IRF7103TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | 3 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Common Source, Dual Die |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) |
| প্যাকেজ | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (PG-DSO-8-902) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes (Pb-free per TRPBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7103TRPBF |
| FET Type | — | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 130 mOhm @ VGS=10V |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 0.11 ohm |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Soldering Method | — | Vapour phase, infrared, wave soldering |
| MSL লেভেল | — | 1 |