IRF7341GTRPBF vs IRF7103TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7341GTRPBF द्वारा Infineon और IRF7103TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7341GTRPBF | IRF7103TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | 3 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Common Source, Dual Die |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) |
| पैकेज | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (PG-DSO-8-902) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes (Pb-free per TRPBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7103TRPBF |
| FET Type | — | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 130 mOhm @ VGS=10V |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 0.11 ohm |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Soldering Method | — | Vapour phase, infrared, wave soldering |
| MSL स्तर | — | 1 |