IRF7341GTRPBF vs IRF7103TRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7341GTRPBF توسط Infineon و IRF7103TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF7341GTRPBF | IRF7103TRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | 3 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Common Source, Dual Die |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) |
| بسته‌بندی | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (PG-DSO-8-902) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | -55C to +150C (TJ) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes (Pb-free per TRPBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7103TRPBF |
| FET Type | — | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 130 mOhm @ VGS=10V |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 0.11 ohm |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Soldering Method | — | Vapour phase, infrared, wave soldering |
| سطح MSL | — | 1 |