IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF9540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF9540NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF9540NSTRLPBF | IRF9540NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Type | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -23 A (at Tc) | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | 117 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 110 W | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263), surface mount | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET, Advanced Process | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead Finish | Pb-free, RoHS-compliant | — |
| Shipping Media | Tape and Reel (TR suffix) | — |
| Part Number | — | IRF9540NPBF |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | -23 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 117 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 140 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ / কেস | — | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) |
| Process Technology | — | Planar HEXFET cell structure |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (Pb-free matte tin plating) |