IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9540NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF9540NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9540NSTRLPBF IRF9540NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Paket D2PAK (TO-263), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, Advanced Process —
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Part Number — IRF9540NPBF
Transistor Türü — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin