IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF9540NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9540NSTRLPBF IRF9540NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, Advanced Process —
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Part Number — IRF9540NPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں