IRFH5301TRPBF vs IRF7854TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFH5301TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7854TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFH5301TRPBF IRF7854TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $0.48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
প্যাকেজ PQFN (5x6 mm) Single Die SO-8
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট