IRFH5301TRPBF vs IRF7854TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFH5301TRPBF bằng Infineon và IRF7854TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFH5301TRPBF IRF7854TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Hộp PQFN (5x6 mm) Single Die SO-8
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá