IRFH5301TRPBF vs IRF7854TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFH5301TRPBF توسط Infineon و IRF7854TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFH5301TRPBF IRF7854TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $0.48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
بسته‌بندی PQFN (5x6 mm) Single Die SO-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت