IRFL024ZTRPBF vs IRLL2705TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFL024ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLL2705TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFL024ZTRPBF IRLL2705TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55 deg C to +175 deg C
প্যাকেজ SOT-223 SOT-223
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (+ drain tab) —
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C — 3.8 A
Peak Drain Current (IDM, pulsed) — 5.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 40 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation at TA=25 deg C — 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing)
Dynamic dv/dt Rating — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট