IRFL024ZTRPBF vs IRLL2705TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFL024ZTRPBF bằng Infineon và IRLL2705TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFL024ZTRPBF IRLL2705TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55 deg C to +175 deg C
Hộp SOT-223 SOT-223
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (+ drain tab) —
Cấp MSL 1 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C — 3.8 A
Peak Drain Current (IDM, pulsed) — 5.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 40 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation at TA=25 deg C — 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing)
Dynamic dv/dt Rating — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá