IRFL024ZTRPBF vs IRLL2705TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFL024ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLL2705TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFL024ZTRPBF IRLL2705TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 deg C to +175 deg C
پیکیج SOT-223 SOT-223
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (+ drain tab) —
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C — 3.8 A
Peak Drain Current (IDM, pulsed) — 5.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 40 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation at TA=25 deg C — 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing)
Dynamic dv/dt Rating — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں