IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR220NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR120NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR220NPBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 13.3 nC |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| প্যাকেজ | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |