IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR220NPBF מאת Infineon ו IRLR120NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR220NPBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז / Case | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 13.3 nC |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| מארז | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |