IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR220NPBF بذریعہ Infineon اور IRLR120NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR220NPBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 13.3 nC |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| پیکیج | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |