IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NPBF द्वारा Infineon और IRLR120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR220NPBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 13.3 nC |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |