IRFR9120NTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR9120NTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR120NTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR9120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (Tj) —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) IR MOSFET (HEXFET)
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট