IRFR9120NTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9120NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR120NTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR9120NTRLPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (Tj) | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | IR MOSFET (HEXFET) |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 9.4 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |