IRFR9120NTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9120NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR120NTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR9120NTRLPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (Tj) | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | IR MOSFET (HEXFET) |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 9.4 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |