IRFS4620TRLPBF vs IRFS4321TRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFS4620TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFS4321TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFS4620TRLPBF IRFS4620TRLPBF - 200V 24A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS4620TRLPBF - 200V 24A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS4620TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFS4620TRLPBF IRFS4321TRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 77.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge Qg 25 nC (typical) —
Gate-to-Source Charge Qgs [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge Qgd [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 144 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +175°C -55C to +175C
প্যাকেজ D2PAK (TO-263AB), 3-pin (2 leads + tab) TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ IR HEXFET (IR MOSFET)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
RDS(on) Max at VGS=10V — 15 mOhm
RDS(on) Max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) Typ — 71 nC
Total Gate Charge (Qg) Max — 110 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 350 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max — 0.45 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life — 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট