IRFZ48NSTRLPBF vs IRLB4030PBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFZ48NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLB4030PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFZ48NSTRLPBF | IRLB4030PBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | 14 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | 87 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 130 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | 3.8 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-220AB |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) | — |
| Lead Finish | Lead-free (PBF) matte tin | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Technology Family | HEXFET advanced process technology | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 370 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C |
| Technology | — | HEXFET (StrongIRFET family) |
| Logic Level Drive | — | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) |
| Qualification | — | JEDEC |