IRFZ48NSTRLPBF vs IRLB4030PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFZ48NSTRLPBF bằng Infineon và IRLB4030PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFZ48NSTRLPBF | IRLB4030PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | 14 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | 87 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 130 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | 3.8 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-220AB |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) | — |
| Lead Finish | Lead-free (PBF) matte tin | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology Family | HEXFET advanced process technology | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 370 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Technology | — | HEXFET (StrongIRFET family) |
| Logic Level Drive | — | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) |
| Qualification | — | JEDEC |