IRFZ48NSTRLPBF vs IRLB4030PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ48NSTRLPBF توسط Infineon و IRLB4030PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ48NSTRLPBF IRLB4030PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت