IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLL2705TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFL024ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLL2705TRPBF IRFL024ZTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C 3.8 A —
Peak Drain Current (IDM, pulsed) 5.2 A —
RDS(on) max at VGS=10V 40 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC —
Gate Drive Level Logic-Level —
Power Dissipation at TA=25 deg C 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 deg C to +175 deg C -55C to +150C
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
প্যাকেজ SOT-223 SOT-223
Dynamic dv/dt Rating Yes —
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
পিন সংখ্যা — 3 (+ drain tab)
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট