IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLL2705TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFL024ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLL2705TRPBF IRFL024ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C 3.8 A —
Peak Drain Current (IDM, pulsed) 5.2 A —
RDS(on) max at VGS=10V 40 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC —
Gate Drive Level Logic-Level —
Power Dissipation at TA=25 deg C 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 deg C to +175 deg C -55C to +150C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-223 SOT-223
Dynamic dv/dt Rating Yes —
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
پن کی تعداد — 3 (+ drain tab)
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں