IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLL2705TRPBF توسط Infineon و IRFL024ZTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLL2705TRPBF | IRFL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| محدوده دمای کاری | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته‌بندی | SOT-223 | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 57.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | 9.1 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 1 W |
| تعداد پایه | — | 3 (+ drain tab) |
| سطح MSL | — | 1 |