IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL2705TRPBF tarafından Infineon ve IRFL024ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLL2705TRPBF | IRFL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | SOT-223 | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 57.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | 9.1 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 1 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (+ drain tab) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |