IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLML6346TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML5103TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLML6346TRPBF IRLML5103TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
প্যাকেজ Micro3 / SOT-23 Micro3/SOT-23
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET
MSL লেভেল 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
ট্রানজিস্টর টাইপ — P-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current — 760 mA at Ta
Power Dissipation — 540 mW at Ta
Maximum On-Resistance — 600 mOhm
Gate Charge — 3.4 nC
Drain-Source Voltage Rating — -30 V
Channel Mode — Enhancement
অপারেটিং তাপমাত্রা — 175 C
Footprint — SOT-23

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট