IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLML6346TRPBF bằng Infineon và IRLML5103TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLML6346TRPBF IRLML5103TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Hộp Micro3 / SOT-23 Micro3/SOT-23
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET
Cấp MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Kiểu transitor — P-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current — 760 mA at Ta
Power Dissipation — 540 mW at Ta
Maximum On-Resistance — 600 mOhm
Gate Charge — 3.4 nC
Drain-Source Voltage Rating — -30 V
Channel Mode — Enhancement
Nhiệt độ hoạt động — 175 C
Footprint — SOT-23

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá