IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML6346TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML5103TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML6346TRPBF IRLML5103TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Polarity N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C —
Kemasan Micro3 / SOT-23 Micro3/SOT-23
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET
Aras MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Jenis Transistor — P-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current — 760 mA at Ta
Power Dissipation — 540 mW at Ta
Maximum On-Resistance — 600 mOhm
Gate Charge — 3.4 nC
Drain-Source Voltage Rating — -30 V
Channel Mode — Enhancement
Suhu Operasi — 175 C
Footprint — SOT-23

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga