IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML6346TRPBF द्वारा Infineon और IRLML5103TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML6346TRPBF | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | Micro3 / SOT-23 | Micro3/SOT-23 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 175 C |
| Footprint | — | SOT-23 |