IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve IRLML5103TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML6346TRPBF | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | Micro3 / SOT-23 | Micro3/SOT-23 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| İşletim Sıcaklığı | — | 175 C |
| Footprint | — | SOT-23 |