IRLR024NTRPBF vs IRLL024ZTRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR024NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLL024ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLR024NTRPBF | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | SOT-223 (TO-261-4) |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |