IRLR024NTRPBF vs IRLL024ZTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR024NTRPBF bằng Infineon và IRLL024ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR024NTRPBF | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | SOT-223 (TO-261-4) |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |